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第五八九章 摩尔定律和半导体工艺制程（第3页）

那这个速度就不是半导体产业升级速度的极限。

肯定是留有余量的。

最起码，在持续四十年的时间内，intel自己显然是留有余量的。

不然intel也不会有牙膏厂的绰号。

在历史上，摩尔在1965提出的口号，是一年翻一倍。

后来可能是发现这个速度难以实现，或者其他的厂商可能跟不上，就在1975年改成了两年翻一倍。

到了1997年的时候，他再次做了非正式的折中化修正，改成了一年半翻一倍。

实际上从七十年代开始算起，直到新世纪初的总共四十年里面，晶体管的增加速度都是两年翻一倍。

大明现在的情况与另一个世界截然不同。

半导体产业有大明皇帝和朝廷直接的推动，无论是资金和政策都是完全敞开了供应的。

相应人员不需要考虑想办法拉投资。

还有新产业集团统一协调研发和生产节奏，不需要在多方厂商关系协调上浪费时间。

关键有大明皇帝直接给出的正确方向。

所以大明有机会直接实现单位面积晶体管数量一年翻一倍的目标。

在这个内部会议上，朱靖垣按照自己前世的经验，把自己知道的可能有效的技术方向都列出来。

让汪莱安排多组人员分头去攻关这些技术。

首先提出步进式光刻机的设计逻辑，提出微缩光刻的技术方向。

原有的光刻工艺中，物理机械手段直接生产的电路板的母版，其精度是有其极限同时也相对不容易提升的。

但是可以通过曲面透镜投影缩放的方式，照着大模板来生产更小的芯片。

要求光学厂商配合研发更高精度的镜头。

然后直接提出浸润式光刻技术的逻辑，让工匠从一开始就直接去走浸润式光刻的方向。

按照光刻机的逻辑，光源的波长越短，就能够生产出制程越小的芯片。

但是又不能无限短，最短的X射线会直接穿过物体，导致无法通过透镜和反射来缩放图纸。

只能在工艺水平大幅度提升后，用在少数有特殊需求的半导体产品上。

常规光源的升级过程，就是不断地寻找无限接近X射线，但是又不能出现X射线现象的光源的过程。

最早的光刻机光源是可见的蓝光，波长是450纳米，实现了微米级的工艺。

在微缩光刻时代，迅速转入不可见的紫外光时代。

波长降低到了365纳米，实现了800纳米到280纳米的工艺。

之后很长的一段时间内，就是在紫外光的范围内，持续不断地缩短波长。

直到波长为193纳米的节点的时候，已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。

如果按照这个方向继续下去，本来应该去寻找波长157纳米的光源，开始生产45纳米及以下的芯片。

但是当时的光源开发公司，在研制波长157纳米的光源时遇到了困难，或者说是瓶颈。

当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。

而台积电的林本坚发现了另外一个方向。

光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。

所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。

于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。

意思就是泡在水里面光刻。

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